姓名：丁扣宝
性别：男
所在学院：信息与电子工程学系
职称：副教授
专业一：微电子学与固体电子学 专业一码：080903
专业二：集成电路工程（专业学位） 专业二码：085209
专业三：电子与通信工程（专业学位） 专业三码：085208
学历：研究生毕业
导师类别：硕士生导师
在岗性质：全职
研究方向：集成电路中器件模型与参数提取；集成电路布局布线；半导体器件物理与微纳米器件物理；太阳能电池
发表论文：
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编号 |
论文题目 |
所载刊物 |
刊物等级 |
发表年月 |
作者 |
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1 |
抛物线型势阱二维电子气能级的解析解 |
半导体情报 |
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38（2）：50-51, 2001 |
丁扣宝 |
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2 |
Simple determination of the profile of bulk generation lifetime in semiconductor |
Solid-State Electronics |
SCI、EI |
46 (4), 601-603, 2002 |
Koubao Ding |
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3 |
硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型 |
浙江大学学报（工学版） |
EI |
36（3）：303-305, 2002 |
丁扣宝 |
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4 |
利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究 |
电子器件 |
EI Pageone |
25（1）：27-28，(2002) |
丁扣宝 |
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5 |
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建 |
半导体技术 |
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29（9）：57-59，2004 |
霍明旭 |
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6 |
半导体少子产生区宽度线性模型的研究 |
微电子学 |
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34（3）：289-290，2004 |
丁扣宝 |
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7 |
适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法 |
固体电子学研究与进展 |
EI |
24(3):407 |
丁扣宝 |
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8 |
基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法 |
传感技术学报 |
EI |
17（3）：505-507，2004 |
丁扣宝 |
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